FQD24N08TF
onsemi
Deutsch
Artikelnummer: | FQD24N08TF |
---|---|
Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 80V 19.6A DPAK |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±25V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-252AA |
Serie | QFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 9.8A, 10V |
Verlustleistung (max) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 750 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 19.6A (Tc) |
Grundproduktnummer | FQD2 |
FQD24N08TF Einzelheiten PDF [English] | FQD24N08TF PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK
MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK
MOSFET N-CH 80V 19.6A DPAK
MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
MOSFET N-CH 80V 19.6A DPAK
FAIRCHI TO252
FAIRCHILD TO-252
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FAIRCHILD TO-252
FQD2N30 FAI
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK
FQD2N100 FAIRCHILD
MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
FQD20N06LTU VB
MOSFET N-CH 80V 19.6A DPAK
FQD24N08 FAIRCHILD
FAIRCHILD TO-252(DPAK)
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() FQD24N08TFonsemi |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|